7月3日消息，捅破天花闪迪与铠侠联合宣布，存储出层第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。板闪首款产品为1Tb TLC型号，迪铠采用332层堆叠设计。侠联

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的手推闪存两大核心工艺。其一是容量CMOS直接键合到阵列技术，将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，捅破天花再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。存储出层

其二是板闪间距选择栅极漏极技术，通过优化存储单元的迪铠排列布局来提升密度。这两项技术的侠联成熟与迭代，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。手推闪存

性能方面，容量BiCS10的捅破天花NAND接口速度达到4.8Gb/s，较BiCS8提升了33%。位密度提升59%，实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

能效表现方面，输入功耗较BiCS8降低10%，输出功耗降低34%。写入能效提升18%，读取能效提升30%。

技术层面，BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、SCA协议及PI-LTT低功耗技术。

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，其中数据中心领域增速达46%。

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，目前没有公布具体的单颗售价。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，专为AI训练、推理及大规模云工作负载设计。