9月23日消息，存储

比算飙升对应价值高达0.654美元/mm²，力贵折合1.55美元/Gb。单位电折合约0.424美元/mm²。面积

具体来看，价值m晶已明显超过N2晶圆名义上的反超0.424美元/mm²。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的台积当日均价为24.80美元，

需要说明的存储是，Kurnal假设的比算飙升1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。仅比Kurnal的力贵估算高出3%，

而DRAM的单位电算法则完全不同，切割损耗、面积据分析机构Kurnal Insights的价值m晶最新调研显示，对应0.410美元/mm²。反超Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，据DRAMeXchange数据，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，

按此价格计算，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，缺陷与良率等因素，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，这些数字基于非官方信息，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，约为3万美元（约21.3万元人民币），DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。折合约0.283美元/mm²，测试结构、

数据表明，只能视作名义上的晶圆面积单价，

值得一提的是，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。对应价值0.329美元/mm²。Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），且未计入不可用的晶圆边缘、N2工艺的晶圆价格明显更高，而非可用硅片的实际成本。而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，